近日,韩国 8 英寸纯晶圆代工厂 SK 启方半导体(SK keyfoundry) 宣布,已成功开发出覆盖 450V 至 2300V 电压范围的碳化硅(SiC)平面 MOSFET 工艺平台。 官方资料显示,该工艺平台在高压工作环境下展现了卓越的稳定性和可靠性。通过精细的制程管控和工艺优化,SK 启方半导体已将该平台的生产良率提升至 90% 以上。此外,公司还提供差异化的“定制化工艺支持服务”,能够根据客户的具体需求微调电气特性。 伴随平台开发完成,SK 启方半导体宣布已获得一家 SiC 设计厂商的 1200V 高压产品开发订单,产品将主要应用于工业设备的节能管理。目前相关研发已启动,预计在完成样品评估后,将于 2027 年上半年进入全面量产。

