来源:THEELEC.据行业消息人士 3 月 31 日透露,SK 海力士株式会社已决定采购量产混合键合设备,用于下一代高带宽内存(HBM)的研发。该公司上月订购了一套由 Applied Materials 与 Besi 联合研发的混合键合 inline 系统,该系统预计造价约 200 亿韩元。该集成工具将 Applied Materials 的化学机械抛光(CMP)设备和等离子体处理设备与 Besi 的混合芯片键合机相结合。预计该工具近期将安装在一条生产研发线上。这标志着 SK 海力士首次采购了专为大规模生产设计的混合键合设备。Applied Materials,上新,剑指 AI !一位行业官员表示,虽然混合键合技术很可能从下一代之后的高带宽存储器开始被采用,但当前这份订单——尽管是针对量产设备的——是为未来发展做的准备步骤。混合键合被视为下一代半导体制造的关键技术。该技术通过将经过加工的芯片裸片放置到晶圆上,实现铜(Cu)表面的直接键合。键合前,需采用化学机械抛光(CMP)进行平坦化处理,随后在真空环境中进行基于等离子体的后处理。铜与铜的直接键合能够实现更高的集成密度、更短的互连长度、更优的器件性能以及更低的功耗。Besi 被广泛视为混合键合设备领域的全球领导者,尤其是在芯片键合系统方面,该公司在精度和产能两方面均已取得技术优势。来源:Applied Materials.Applied Materials 与 Besi 联合研发的这套系统已在台积电的量产环节投入使用。台积电借助该设备实现了 AMD 3D V-Cache 技术的商业化,该技术将高速高速缓存存储器垂直堆叠在处理器之上,可显著提升高性能计算的数据访问速度。这套系统预计也将应用于博通的定制人工智能专用集成电路(ASIC)中。不过,SK海力士并未披露其计划如何将混合键合技术应用于高带宽存储器(HBM)。据行业消息人士透露,最有可能的方案是芯片到晶圆(D2W)键合,即先将首个 DRAM 核心芯片放置在基底晶圆上,再通过芯片到芯片(D2D)键合堆叠额外的 DRAM 芯片。另一种正在考量的方法是先在晶圆层面对两块 DRAM 芯片进行键合,再对这些配对单元进行堆叠,这一方式有望将 16 层结构所需的堆叠步骤减少一半。一位业内人士表示,目前尚未确定最终方案,将测试多种方法,以找到既能保持良率又能最大化性能的最优解决方案。除了 Applied Materials 与 Besi 的合作系统外,SK 海力士计划在不久的将来引入 Hanwha Semitech 开发的混合键合设备用于质量检测。据报道,三星电子也采用了 Besi 的设备用于研发,且近期引入了 SEMES 的混合键合机进行质量测试,不过据称 SEMES 的设备成熟度较低。END往期推荐REVIEWAMAT & Bsei | 如何采用 Die-to-Wafer 混合键合解决下一代封装的挑战?三星电子 & Onto 联合开发混合键合检测设备!背靠 SK 海力士,这家韩国刻蚀厂商 “起飞”!中微公司领投,押注键合设备!↓设置星标,精彩不错过↓↓扫一扫,总一款适合你↓本文仅作行业信息分享、技术交流与岗位对接使用,不涉及任何涉密内容。欢迎关注本公众号,获取更多半导体设备、工艺、产业动态与优质岗位信息。如有疏漏、内容建议或岗位咨询,欢迎留言交流。点分享点收藏点在看点点赞












