3 月 4 日消息,AI 芯片、存储芯片和逻辑处理器需求持续飙升,正在推动亚洲半导体企业大幅提高投资规模。今天晚间,集邦咨询 TrendForce 数据显示,亚洲多家主要芯片厂商今年资本支出预计将超过 1360 亿美元(注:现汇率约合 9404.47 亿元人民币),比 2025 年增长约 25%,其中台积电、三星电子和 SK 海力士是扩产的核心力量。亚洲晶圆代工龙头和存储厂商正在显著增加 2026 年投资规模。譬如,台积电今年资本支出将达到 520 亿至 560 亿美元(现汇率约合 3595.83 亿至 3872.43 亿元人民币)的历史新高,同比增长 27% 至 37%。其中约 70% 至 80% 用于先进制程,其余用于特殊制程和先进封装。中芯国际也保持高水平投资,其资本支出规模几乎与全年营收相当,重点用于本土产能建设。预计该公司 2026 年的资本支出将与 2025 年基本持平,仍将保持在 80 亿美元(现汇率约合 553.2 亿元人民币)以上。与此同时,三星电子和 SK 海力士也在加大投资力度。TrendForce 预计,三星电子 2026 年资本支出将同比增长约 3.7%,SK 海力士可能提高约 24%。两家公司都在扩大产能,新增产能主要用于 HBM 高带宽存储。三星计划在 2026 年将 DRAM 产量提高约 20%,重点依托平泽 P4 工厂,并主要生产 10nm 级第六代(1C)DRAM,以配合 HBM4 需求。SK 海力士方面,EBN 称其清州 M15X 工厂已完成准备,大部分新增产能预计将用于 HBM 生产。消息称 SK 海力士已经上调 1C DRAM 扩产计划。业内预计到 2027 年第一季度末,其月产能可能达到 17 万至 20 万片,接近原定目标的两倍。NAND 领域,铠侠与闪迪的联盟也成为扩产最激进的力量之一。预计该合资项目 2026 年资本支出增长约 40%。值得注意的是,这轮投资潮也蔓延到二线存储厂商。例如,华邦电子计划在 2026 年投入 421 亿新台币(现汇率约合 93 亿元人民币),接近去年的八倍。华邦电子主要生产用于各类设备存储源代码 NOR 闪存芯片,以及定制化旧制程 DRAM,预计 2026 年第一季度平均售价将上涨 30% 以上。全球第五大 DRAM 厂商南亚科技也宣布大幅提高投资规模。在经历近三年的行业低迷后,其将 2026 年资本支出提高到此前水平的两倍以上。据悉,南亚科技已经公布 500 亿新台币的资本支出预算,新工厂预计将在 2028 年上半年达到每月 2 万片晶圆产能。(清源)






