天科合达：8英寸导电型低电阻衬底目前已系统性攻克电阻率、SF、加工面型三大行业控制难题，并实现小批量出货

2026年3月27日，SEMICON China 2026圆满落下帷幕。作为全球规模最大、规格最高、影响力最广、最新技术热点全覆盖的半导体行业盛会之一，本届展会盛况空前，化合物半导体专区更是人头攒动，备受瞩目。

天科合达作为全球领先的碳化硅衬底企业，精彩亮相此次盛会。随着电动汽车、AI算力及新能源需求的快速增长，碳化硅、氮化镓作为第三代半导体的关键材料，成为本届行业盛会焦点。




“十五五”期间，国家






更是






对第三代半导体发展提出明确要求






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将推动第三代半导体的规模化应用，提升芯片性能与良率，降低生产成本，加速其在新能源汽车、




5G通信等领域的广泛普及，同时培育一批具有核心竞争力的第三代半导体企业。






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以天科合达为代表的国内碳化硅衬底企业，正积极响应国家政策号召，以碳化硅材料力量深刻推动并重塑全球半导体材料产业格局。

同芯20载，聚力新征程

天科合达以行动证明，中国碳化硅材料企业完全有能力参与全球最高水平的竞争，并在技术能力与规模化量产层面建立起领先优势。 本次展会，天科合达以20周年企庆为主题，一并展示了2、4、6、8、12英寸衬底，呈现了国内碳化硅衬底尺寸的成长。回顾创业之路，天科合达作为亲历者，见证了国产碳化硅衬底尺寸由小到大、技术由跟跑到领跑的发展历程。