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TruPlasma RF Series 3000

新一代


RF G3



射频电源



具备高效率和稳定的等离子体激励能力，可广泛应用于半导体刻蚀、

PECVD

、

ALD

等关键工艺。

该系列电源采用先进的功率转换技术和优化的系统架构，可提供稳定可靠的射频输出，帮助实现更精准的等离子体控制。同时，高效率设计有效降低能耗并提升系统整体性能，为半导体制造工艺提供更加可靠的电源支持。

2.TruPlasma Match Box



匹配器

TruPlasma Match 1000 (G2/13)

TruPlasma Match



匹配器



通过智能阻抗匹配算法，实现射频系统与等离子体负载之间的快速匹配。

数字化控制系统能够实时监测射频功率及相关参数变化，实现快速频率追踪和电弧管理，从而提高工艺稳定性与设备运行可靠性。该系列匹配器能够与射频电源系统协同工作，为沉积和刻蚀等工艺提供高效稳定的解决方案。

3.HiPIMS


高功率脉冲磁控溅射电源

TruPlasma Highpulse 4002 G2

HiPIMS

电源技术能够产生高密度等离子体，在先进薄膜沉积和功能材料制备中展现出优异性能。

通过高峰值功率脉冲激励，可显著提升溅射材料的离子化率，使沉积薄膜具备更好的致密性、附着力以及均匀性。这一技术在先进半导体工艺以及高性能功能材料沉积领域具有广泛应用前景。

4.TGV



（玻璃通孔）先进封装技术

TGV

随着先进封装技术的发展，

TGV

（

Through Glass Via

，玻璃通孔）逐渐成为高性能芯片封装的重要技术路径。

通过将精密加工技术与等离子体工艺相结合，可在玻璃中介层中实现高精度通孔结构，为

高密度互连和异构集成封装

提供关键支撑。该技术能够帮助提升封装性能并优化整体制造成本，为下一代半导体封装应用提供重要技术基础。