中微公司四款新品同步发布 以深度创新加速平台化发展

在全球半导体盛会SEMICON China 2026期间，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，证券代码“688012”）宣布推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的新产品，包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®，进一步丰富了公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的产品组合及系统化解决方案能力，持续夯实平台化发展的基础，助力公司在规模化拓展的进程中实现高质量发展。

随着逻辑芯片向5纳米及以下节点迈进和先进存储芯片对高深宽比刻蚀的要求日益严苛，刻蚀设备面临着对刻蚀精度、均匀性、深宽比等多重挑战。Primo Angnova™ ICP单腔刻蚀系统正是为应对这些挑战而生。

该产品采用中心抽气设计，配备业界领先的对称气流控制阀、高流导和高速分子泵系统，可实现极高的反应气体通量，大幅度扩展反应腔体压力控制范围。在功率源和等离子体方面，Primo Angnova™集成了具有中微公司自主知识产权的第二代LCC射频线圈和直流磁场辅助线圈MFTR，并配备先进的四段脉冲控制，可实现对离子浓度和离子能量的高精度独立控制。尤其突出的是，其搭载的超低频射频等离子体源，能够产生极高的离子能量，显著增强了设备在高深宽比ICP刻蚀工艺中的处理能力。

在温度控制方面，Primo Angnova™采用超过200区独立温控的Durga III ESC静电吸盘，分区控温精度显著提升，结合晶圆边缘连续AEIT（晶圆边缘阻抗主动调节） 设计，实现了优异的片内刻蚀均匀性。在系统集成与效率方面，Primo Angnova™搭载了中微公司成熟的Primo C6V3传送平台，最多可配置6个主刻蚀腔体与2个LL Strip除胶腔体，有效降低综合运行成本。

Primo Angnova™的推出，为5纳米及以下逻辑芯片技术以及同等技术节点难度的先进存储芯片的制造领域， 提供了自主可控、技术领先的ICP刻蚀工艺解决方案，助力客户提升先进制程产能，降低生产成本，持续增强市场竞争力。

如今，芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能, 而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA、3D NAND、DRAM等器件工艺需求, 中微公司正式推出Primo Domingo™ 高选择性刻蚀设备。

该产品采用全对称腔体结构与优化流场设计，在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节实现系统整合，确保晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性。Primo Domingo™独特的集成气柜设计，可缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制，为刻蚀工艺提供精准保障。设备内部采用了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料以应对工艺所需的高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行。此外，Primo Domingo™配备了双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，显著提升了刻蚀工艺的均匀性与稳定性。Primo Domingo™同样搭载中微公司量产的Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用的需求。

Primo Domingo™的推出，标志着公司在高选择性刻蚀设备领域实现了重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。该产品的成功研发，不仅进一步丰富了公司在高端刻蚀设备领域的产品矩阵，更有力支撑了集成电路产业在先进工艺节点上的技术攻坚，为客户实现更高性能、更小尺寸的器件制造提供了关键工艺设备保障。

此次发布的Smart RF Match 智能射频匹配器，是中微公司在高端半导体刻蚀设备中关键子系统的又一创新突破。Smart RF Match智能射频匹配器用于在设备腔体内实现稳定的等离子体生成与控制，专为半导体前道制程，特别是介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀，以及先进封装、MEMS、化合物半导体等精密刻蚀的应用而设计。它首次在半导体设备领域引进了射频回路专网概念，通过EtherCAT实现射频电源与智能匹配器之间射频状态信息的实时准确传输，使智能匹配器能够作为主动设备，在调节匹配网络的同时向射频电源下发控制指令。

基于具有自主知识产权的新型智能射频匹配控制算法，Smart RF Match可实现微秒级的射频环境响应，能够根据等离子体状态实时自动调节阻抗，确保射频能量高效、稳定地传输。独特的智能调控算法根据工艺条件对电源频率调节范围以及匹配调节模式等进行自动选择及切换，实现比传统匹配器快百倍以上的匹配速度。

在客户端高端逻辑工艺的实际测试中，在相同工艺条件下，与传统的固定式匹配方案相比，智能射频匹配系统不仅将射频信号匹配速度提升了225%，还助力整体刻蚀效率提高15%。这一性能提升，直接转化为更高的设备单位产能与更稳定的工艺一致性。

智能射频匹配器的推出，标志着中微公司在等离子体控制领域实现了从“被动响应”到“主动预测”的关键跨越。它不仅有效解决了行业长期面临的匹配精度、效率与稳定性的核心难题，显著提升了工艺性能与设备产能，更通过为下一代高端设备嵌入智能内核，为客户持续创造更高良率、更优成本与更强竞争力的价值，推动半导体制造向更高效、更智能的未来迈进。

为满足Micro LED量产对高波长均匀性与低颗粒度的严苛要求，中微公司推出了专为Micro LED量产设计的Preciomo Udx ® MOCVD设备。该设备从气体输运、加热模式、温场控制等关键技术均采用了全新的设计理念，突破了现有垂直气流MOCVD的技术路线，采用新型水平式双旋转反应室结构，并通过对温场与流场的仿真设计，及硬件与工艺优化，显著提升了波长均匀性，为客户实现Micro LED量产提供了关键支撑。

中微公司此次发布的具有自主知识产权的Preciomo Udx®专为MOCVD量产设计，最多可配置两个反应腔，可同时加工18片6英寸或者12片8英寸高性能氮化镓蓝绿光Micro LED外延片。每个反应腔均可独立控制，具有高度生产灵活性。同时，Preciomo Udx®采用水平式双旋转反应器结构，并配备符合集成电路行业标准的EFEM和SMIF系统，可实现片盒到片盒的全自动化传输模式，有效降低Micro LED外延片的颗粒数。该设备基于模型的温度控制系统与业界领先的单腔产能，使其凭借优异的波长均匀性、低缺陷密度以及高产出稳定性，满足了Micro LED量产的严苛技术要求。

自2004年成立以来，中微公司始终站在先进制程工艺发展的最前沿，坚持“技术创新性，产品差异化和知识产权保护”。作为行业领先的半导体设备企业，中微公司持续推动技术突破与产品创新，平台化战略全面落地，产品覆盖度持续提升，正稳步迈入规模化发展新阶段。近年来，公司不断提高开发新的设备产品的质量和效率，将新产品的开发从传统的3到5年周期大幅缩短至2年以内， 2025年公司开发的项目涵盖六大类，超过二十款新设备。通过“有机生长和外延扩展”，公司在五年内将覆盖60%以上的高端关键设备。持续且高强度的研发投入，为公司的技术突破与产品创新，以及未来持续高速发展奠定了坚实基础。

随着四款新品的加入，公司已覆盖从宏观控制到微观感知、从成熟制程到前沿节点的多个维度，为加速向高端半导体设备平台化公司迈进注入了全新动能。

未来，中微公司将继续坚持“三维立体生长“ 与 ”有机生长和外延扩展”相结合的战略，持续巩固在集成电路关键设备领域的核心竞争力和优势，不断拓展泛半导体关键设备应用，并通过持续的技术升级和深度的产业链合作进行新兴领域探索，通过“科创企业五个十大”的学习和传承，使企业总能量、对外竞争的净能量最大化，实现高速、稳定、健康、安全的高质量发展，为2035年在规模、产品竞争力和客户满意度上成为全球第一梯队的半导体设备公司打下坚实的基础。

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