SK启方半导体开发450~2300V碳化硅平面MOSFET工艺平台

近日，韩国 8 英寸纯晶圆代工厂 SK 启方半导体（SK keyfoundry） 宣布，已成功开发出覆盖 450V 至 2300V 电压范围的碳化硅（SiC）平面 MOSFET 工艺平台。

官方资料显示，该工艺平台在高压工作环境下展现了卓越的稳定性和可靠性。通过精细的制程管控和工艺优化，SK 启方半导体已将该平台的生产良率提升至 90% 以上。此外，公司还提供差异化的“定制化工艺支持服务”，能够根据客户的具体需求微调电气特性。

伴随平台开发完成，SK 启方半导体宣布已获得一家 SiC 设计厂商的 1200V 高压产品开发订单，产品将主要应用于工业设备的节能管理。目前相关研发已启动，预计在完成样品评估后，将于 2027 年上半年进入全面量产。