SK 海力士向 AMAT & Besi 订购混合键合设备

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　　来源：THEELEC.据行业消息人士 3 月 31 日透露，SK 海力士株式会社已决定采购量产混合键合设备，用

来源：THEELEC.

据行业消息人士 3 月 31 日透露，SK 海力士株式会社已决定采购量产混合键合设备，用于下一代高带宽内存（HBM）的研发。该公司上月订购了一套由 Applied Materials 与 Besi 联合研发的混合键合 inline 系统，该系统预计造价约 200 亿韩元。

该集成工具将 Applied Materials 的化学机械抛光（CMP）设备和等离子体处理设备与 Besi 的混合芯片键合机相结合。预计该工具近期将安装在一条生产研发线上。这标志着 SK 海力士首次采购了专为大规模生产设计的混合键合设备。

Applied Materials，上新，剑指 AI ！

一位行业官员表示，虽然混合键合技术很可能从下一代之后的高带宽存储器开始被采用，但当前这份订单——尽管是针对量产设备的——是为未来发展做的准备步骤。

混合键合被视为下一代半导体制造的关键技术。该技术通过将经过加工的芯片裸片放置到晶圆上，实现铜（Cu）表面的直接键合。键合前，需采用化学机械抛光（CMP）进行平坦化处理，随后在真空环境中进行基于等离子体的后处理。铜与铜的直接键合能够实现更高的集成密度、更短的互连长度、更优的器件性能以及更低的功耗。

Besi 被广泛视为混合键合设备领域的全球领导者，尤其是在芯片键合系统方面，该公司在精度和产能两方面均已取得技术优势。

来源：Applied Materials.

Applied Materials 与 Besi 联合研发的这套系统已在台积电的量产环节投入使用。台积电借助该设备实现了 AMD 3D V-Cache 技术的商业化，该技术将高速高速缓存存储器垂直堆叠在处理器之上，可显著提升高性能计算的数据访问速度。这套系统预计也将应用于博通的定制人工智能专用集成电路（ASIC）中。

不过，SK海力士并未披露其计划如何将混合键合技术应用于高带宽存储器（HBM）。据行业消息人士透露，最有可能的方案是芯片到晶圆（D2W）键合，即先将首个 DRAM 核心芯片放置在基底晶圆上，再通过芯片到芯片（D2D）键合堆叠额外的 DRAM 芯片。另一种正在考量的方法是先在晶圆层面对两块 DRAM 芯片进行键合，再对这些配对单元进行堆叠，这一方式有望将 16 层结构所需的堆叠步骤减少一半。

一位业内人士表示，目前尚未确定最终方案，将测试多种方法，以找到既能保持良率又能最大化性能的最优解决方案。

除了 Applied Materials 与 Besi 的合作系统外，SK 海力士计划在不久的将来引入 Hanwha Semitech 开发的混合键合设备用于质量检测。

据报道，三星电子也采用了 Besi 的设备用于研发，且近期引入了 SEMES 的混合键合机进行质量测试，不过据称 SEMES 的设备成熟度较低。